64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Function, RES Function (HN58V66A) The HN58V65AFP-10 is a 64M-bit (8M x 8-bit) serial flash memory manufactured by Renesas. Key specifications include:  

- **Memory Capacity**: 64M-bit (8M x 8-bit)  
- **Interface**: Serial (SPI-compatible)  
- **Operating Voltage**: 2.7V to 3.6V  
- **Operating Frequency**: Up to 50 MHz  
- **Page Size**: 256 bytes  
- **Sector Size**: 4K bytes  
- **Block Size**: 64K bytes  
- **Write Time**: 1.5 ms (typical) per page  
- **Data Retention**: 20 years (typical)  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Package**: 8-pin SOP (150 mil)  

Additional features include:  
- **Security**: Hardware and software protection  
- **Commands**: Supports standard SPI commands (Read, Write, Erase, etc.)  
- **Temperature Range**: -40°C to +85°C  

This information is based on Renesas' official documentation for the HN58V65AFP-10.

64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Function, RES Function (HN58V66A) The **HN58V65AFP-10** is a high-performance **EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)** integrated circuit designed for reliable non-volatile data storage in a wide range of electronic applications. Manufactured with advanced CMOS technology, this component offers **64K-bit (8K x 8) memory capacity**, ensuring efficient data retention and low power consumption.  

Featuring a **serial I²C interface**, the HN58V65AFP-10 supports fast read and write operations, making it suitable for embedded systems, industrial controls, consumer electronics, and automotive applications. Its **10ms fast write cycle time** enhances performance in time-sensitive operations, while its **100,000 erase/write cycles** and **40-year data retention** guarantee long-term reliability.  

Operating within a **2.7V to 5.5V voltage range**, this EEPROM is versatile for both low-power and standard voltage environments. The device also includes built-in **write protection** features to prevent accidental data corruption. Packaged in an **8-pin SOP (Small Outline Package)**, it is compact and ideal for space-constrained designs.  

With its robust performance, durability, and compatibility, the **HN58V65AFP-10** is a dependable choice for applications requiring secure and efficient non-volatile memory solutions.

64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Function, RES Function (HN58V66A) The **HN58V65AFP-10** is a high-performance **EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)** integrated circuit designed for reliable non-volatile data storage in a wide range of electronic applications. Manufactured with advanced CMOS technology, this component offers a storage capacity of **64Kbits (8K x 8 bits)**, making it suitable for systems requiring moderate memory retention with low power consumption.  

Operating at a **5V supply voltage**, the HN58V65AFP-10 features a fast **100ns access time**, ensuring efficient read and write operations. It supports **serial I²C interface communication**, enabling seamless integration with microcontrollers and other digital systems. The device also includes built-in **write protection** and **data retention** capabilities, ensuring long-term reliability even in demanding environments.  

With an **endurance rating of 1 million write cycles** and a **data retention period of up to 100 years**, this EEPROM is ideal for applications such as **industrial automation, consumer electronics, automotive systems, and embedded computing**. Its **FP-10 package** ensures compactness and ease of PCB mounting while maintaining robust performance.  

Engineers and designers favor the HN58V65AFP-10 for its balance of speed, durability, and power efficiency, making it a dependable choice for modern electronic designs requiring non-volatile memory solutions.

64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Function, RES Function (HN58V66A) The HN58V65AFP-10 is a 64M-bit (8M x 8-bit) CMOS flash memory manufactured by Hitachi. Key specifications include:  

- **Organization**: 8,388,608 words × 8 bits  
- **Supply Voltage**: 5V ±10%  
- **Access Time**: 100ns (max)  
- **Operating Current**: 30mA (typical)  
- **Standby Current**: 100μA (max)  
- **Sector Architecture**:  
  - Eight 8K-word boot sectors  
  - One 32K-word sector  
  - Fifteen 64K-word sectors  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles (min) per sector  
- **Data Retention**: 10 years (min)  
- **Package**: 44-pin SOP (Plastic Small Outline Package)  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  

This flash memory supports both uniform and boot block sector architectures and is designed for high-reliability applications.

64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Function, RES Function (HN58V66A) The HN58V65AFP-10 is a 64M-bit (8M x 8-bit) CMOS flash memory manufactured by Hitachi. Key specifications include:  

- **Organization**: 8M words × 8 bits  
- **Supply Voltage**: 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time**: 100 ns (max)  
- **Operating Current**: 30 mA (typical)  
- **Standby Current**: 10 µA (typical)  
- **Sector Architecture**: Uniform 64K-byte sectors  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles (min) per sector  
- **Data Retention**: 10 years (min)  
- **Package**: 44-pin SOP (Plastic Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  

It supports both byte and burst mode operations and features a hardware data protection mechanism.

64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Function, RES Function (HN58V66A) The HN58V65AFP-10 is a 64Mbit (8M x 8-bit) CMOS Serial Flash Memory manufactured by Hitachi (now part of Renesas Electronics).  

### Key Specifications:  
- **Memory Capacity**: 64Mbit (8M x 8-bit)  
- **Interface**: Serial (SPI-compatible)  
- **Supply Voltage**: 2.7V - 3.6V  
- **Operating Frequency**: Up to 10MHz  
- **Sector Size**: 4Kbytes (sector erase)  
- **Block Size**: 64Kbytes (block erase)  
- **Page Program Size**: 256 bytes  
- **Data Retention**: 10 years (minimum)  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles (minimum)  
- **Package**: SOP (Small Outline Package), 8-pin  

This device supports standard SPI commands for read, write, erase, and status operations.  

(Source: Hitachi/Renesas datasheet)

64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Function, RES Function (HN58V66A) The HN58V65AFP-10 is a 64K (8K x 8) parallel EEPROM manufactured by Hitachi (now Renesas Electronics). Here are its key specifications:  

- **Memory Size**: 64Kbit (8K x 8)  
- **Supply Voltage**: 5V ±10%  
- **Access Time**: 100ns (max)  
- **Operating Current**: 30mA (max)  
- **Standby Current**: 100μA (max)  
- **Data Retention**: 10 years (min)  
- **Endurance**: 10,000 write cycles (min)  
- **Interface**: Parallel (8-bit data bus)  
- **Package**: 28-pin SOP (Plastic Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  

The device supports both random and sequential read operations and features a write protect function.