RF 2-in-1 Hybrid Transistors The part HN3C10FU is manufactured by TOSHIBA. It is a P-channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** SOP-8  

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the HN3C10FU MOSFET.