Transistor Silicon PNP種PN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The part HN3B02FU is manufactured by TOSHIBA. It is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with the following specifications:  

- **Type:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** SOP-8  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the HN3B02FU MOSFET.