Small-signal Schottky barrier diode The part HN2S03T is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications based on available factual information:  

- **Manufacturer**: TOSHIBA  
- **Part Number**: HN2S03T  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Package**: SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Voltage Rating**: 30V (Drain-Source Voltage, VDS)  
- **Current Rating**: 6A (Drain Current, ID)  
- **Power Dissipation**: 2W (Total Power Dissipation)  
- **On-Resistance (RDS(on))**: Typically low (exact value depends on gate-source voltage)  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V (maximum)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

For exact performance characteristics, refer to TOSHIBA's official datasheet.