Small-signal Schottky barrier diode The part HN2S02JE is manufactured by TOSHIBA. It is a dual N-channel MOSFET with the following specifications:  

- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 6A (per channel)  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the HN2S02JE MOSFET.