Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching Application The part HN2S01FU is manufactured by TOSHIBA. It is a dual N-channel MOSFET with a drain-source voltage (V_DSS) of 30V, a continuous drain current (I_D) of 10A, and a power dissipation (P_D) of 2W. The device features a low on-resistance (R_DS(on)) of 18mΩ (typical) at V_GS=10V. It is housed in a SOP-8 package.  

Key specifications:  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 18mΩ (typical) at V_GS=10V  
- **Package:** SOP-8