Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching Application The part HN2S01F is manufactured by Toshiba (TOS). Below are the specifications as per Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Toshiba (TOS)  
- **Part Number**: HN2S01F  
- **Type**: High-speed switching diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V  
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (at 10mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  

This information is strictly based on the available data.

Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching Application The part HN2S01F is manufactured by TOSHIBA. It is a high-speed switching diode with the following specifications:  

- **Type**: Switching Diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 75V  
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (at 10mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the HN2S01F diode.