Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching Application The part HN2S01F is manufactured by TOSHIBA. It is a high-speed switching diode with the following specifications:  

- **Type**: Switching Diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 75V  
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (at 10mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the HN2S01F diode.

Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching Application

Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching Application The part HN2S01F is manufactured by Toshiba (TOS). Below are the specifications as per Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Toshiba (TOS)  
- **Part Number**: HN2S01F  
- **Type**: High-speed switching diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V  
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (at 10mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  

This information is strictly based on the available data.

Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching Application