Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part HN2D01F is manufactured by TOS (Toshiba). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** TOS (Toshiba)  
- **Part Number:** HN2D01F  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 25A  
- **Package Type:** Module  
- **Configuration:** Dual IGBT with diode  
- **Applications:** Power conversion, motor drives, inverters  

For detailed datasheets or further technical information, refer to Toshiba's official documentation.