RF 2-in-1 Hybrid Transistors The part HN2C12FU is manufactured by **TOSHIBA**. It is a **dual N-channel MOSFET** with the following key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: SOP-8 (Small Outline Package)  

This MOSFET is designed for **switching applications** and is commonly used in power management circuits.  

(Source: TOSHIBA datasheet for HN2C12FU)