256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) The **HN29W25611T-50** is a high-performance **256Kb (32K x 8) CMOS SRAM (Static Random-Access Memory)** component designed for applications requiring fast, reliable, and low-power data storage. Operating at a speed of **50 ns**, this device is well-suited for embedded systems, industrial controls, telecommunications, and other demanding environments where quick access to stored data is essential.  

Built with advanced **CMOS technology**, the HN29W25611T-50 ensures efficient power consumption while maintaining high-speed performance. It features a **wide operating voltage range**, making it compatible with various system designs. The SRAM retains data as long as power is supplied, eliminating the need for refresh cycles, which simplifies integration into memory subsystems.  

With an **8-bit parallel interface**, the component offers straightforward connectivity to microcontrollers and processors. Its robust architecture ensures stable operation under fluctuating conditions, making it a dependable choice for mission-critical applications. Additionally, the HN29W25611T-50 is available in industry-standard packages, facilitating seamless PCB assembly.  

Engineers and designers seeking a **low-latency, high-reliability SRAM solution** will find the HN29W25611T-50 a practical and efficient option for enhancing system performance. Its balance of speed, power efficiency, and durability makes it a versatile component in modern electronic designs.