1m UV and OTP eprom The HN27C101AG-10 is a 1Mbit (128K x 8) UV-erasable EPROM manufactured by Hitachi. Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8 (1Mbit)
- **Access Time**: 100 ns
- **Supply Voltage**: 5V ±10%
- **Operating Current**: 30 mA (typical)
- **Standby Current**: 100 µA (max)
- **Programming Voltage (VPP)**: 12.5V
- **Package**: 32-pin DIP (Dual In-line Package)
- **Technology**: CMOS
- **UV Erasure**: Requires exposure to UV light (wavelength 2537 Å) for erasure
- **Data Retention**: 10 years (minimum)
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C

This EPROM is designed for applications requiring non-volatile memory with reprogrammability.

1m UV and OTP eprom The HN27C101AG-10 is a 1Mbit (128K x 8) UV-erasable and electrically programmable read-only memory (EPROM) manufactured by Hitachi (HIT).  

**Key Specifications:**  
- **Organization:** 128K x 8 bits  
- **Access Time:** 100 ns  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Operating Current:** 30 mA (max)  
- **Standby Current:** 100 μA (max)  
- **Programming Voltage (VPP):** 12.5V  
- **Package:** 32-pin DIP (Plastic)  
- **Technology:** CMOS  
- **UV Erasure:** 15-20 minutes under UV light  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

This EPROM is designed for applications requiring non-volatile memory storage with reprogrammability via UV erasure.

1m UV and OTP eprom The HN27C101AG-10 is a 1Mbit (128K x 8) UV-erasable EPROM manufactured by Hitachi (HIT). Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8 bits  
- **Access Time**: 100 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ± 10%  
- **Power Consumption**:  
  - Active: 30 mA (typical)  
  - Standby: 100 µA (typical)  
- **Programming Voltage (VPP)**: 12.5V  
- **UV Erasure**:  
  - Wavelength: 2537 Å  
  - Exposure Energy: 15 J/cm²  
  - Erasure Time: Approximately 15–20 minutes  
- **Package**: 32-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  

This device supports standard EPROM features, including a programming algorithm and data retention of at least 10 years.