Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type For Portable Devices High Speed Switching Applications Interface Applications The part HN1K05FU is manufactured by TOSHIBA. It is a power MOSFET with the following specifications:  

- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220SIS  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the HN1K05FU.