Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part HN1D03FU is manufactured by TOSHIBA. It is a power MOSFET with the following specifications:  

- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Drain Current (I_D)**: 60A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max)**: 3.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Note: Always verify specifications with the latest datasheet from TOSHIBA.)