Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part HN1D03F is manufactured by TOSHIBA. It is a digital transistor (resistor built-in transistor) with the following specifications:  

- **Type**: NPN Digital Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Maximum Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (PTOT)**: 200mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 (min) to 400 (max)  
- **Built-in Resistors**:  
  - R1 (Base Resistor): 10kΩ  
  - R2 (Base-Emitter Resistor): 10kΩ  
- **Package**: SOT-23 (Miniature Surface-Mount)  

This device is designed for switching and amplification applications in compact electronic circuits.  

(Source: TOSHIBA Semiconductor Datasheet)