Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The part HN1C01FU is manufactured by TOSHIBA. It is a power MOSFET with the following specifications:  

- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 18mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220SIS  

This MOSFET is designed for power switching applications.  

(Note: Always verify with the latest datasheet from TOSHIBA for updated specifications.)