Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMPSA92 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -500 mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625 mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300 (at I_C = -10 mA, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23 (TO-236)  

These specifications are based on ON Semiconductor's datasheet for the HMPSA92.

Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR **Introduction to the HMPSA92 Electronic Component**  

The HMPSA92 is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for applications requiring reliable amplification and switching capabilities. Known for its robust construction and efficient performance, this component is commonly used in audio amplifiers, signal processing circuits, and power management systems.  

With a collector-emitter voltage (V_CEO) rating of -300V and a continuous collector current (I_C) of -500mA, the HMPSA92 is well-suited for medium-power applications. Its high current gain (h_FE) ensures stable operation across a wide range of loads, while its low saturation voltage enhances energy efficiency.  

The transistor is housed in a TO-92 package, making it compact and easy to integrate into various circuit designs. Its thermal stability and durability make it a preferred choice for both industrial and consumer electronics. Engineers often select the HMPSA92 for its consistent performance in demanding environments, where precision and reliability are critical.  

Whether used in analog circuits or as a switching device, the HMPSA92 offers a balance of power handling and signal fidelity, making it a versatile component in modern electronics.