IC Phoenix logo

Home ›  H  › H27 > HMJE13005

HMJE13005 from HJ

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

HMJE13005

Manufacturer: HJ

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HMJE13005 HJ 30801 In Stock

Description and Introduction

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The **HMJE13005** is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power switching and amplification applications. Known for its robustness and efficiency, this component is commonly used in electronic circuits requiring high voltage handling, such as power supplies, inverters, and lighting systems.  

With a collector-emitter voltage (VCE) rating of up to 400V and a collector current (IC) of 4A, the HMJE13005 is well-suited for medium-power applications. Its high gain and fast switching characteristics make it a reliable choice for designers seeking stable performance in demanding environments.  

The transistor is typically housed in a TO-220 package, ensuring effective heat dissipation and mechanical durability. Proper heat sinking is recommended when operating near maximum ratings to maintain optimal performance and longevity.  

Engineers often favor the HMJE13005 for its balance of cost-effectiveness and performance, making it a popular choice in both industrial and consumer electronics. When integrating this component, attention to proper biasing and load conditions is essential to prevent overheating or premature failure.  

In summary, the HMJE13005 is a versatile and dependable power transistor, ideal for applications requiring efficient high-voltage switching and amplification.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HMJE13005 H 58 In Stock

Description and Introduction

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR **Introduction to the HMJE13005 Electronic Component**  

The HMJE13005 is a high-voltage, high-speed NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in power-switching applications. Designed to handle significant voltage and current levels, this component is widely employed in power supplies, inverters, and electronic ballasts.  

With a collector-emitter voltage (VCEO) rating of up to 400V and a collector current (IC) of 4A, the HMJE13005 is well-suited for medium-power circuits requiring efficient switching performance. Its fast switching speed and low saturation voltage contribute to reduced power dissipation, making it a reliable choice for energy-efficient designs.  

The transistor is typically housed in a TO-220 package, ensuring good thermal performance and ease of mounting on heat sinks when necessary. Proper heat management is essential to maintain optimal performance and longevity in high-power applications.  

Engineers and hobbyists often select the HMJE13005 for its balance of cost-effectiveness and robust electrical characteristics. When integrating this component into a circuit, attention must be paid to proper biasing and load conditions to prevent overheating or premature failure.  

Overall, the HMJE13005 remains a practical solution for power control and conversion tasks in various electronic systems.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips