1 dB LSB GaAs MMIC 3-BIT DIGITAL POSITIVE CONTROL ATTENUATOR, DC - 6 GHz **Introduction to the HMC468LP3E Electronic Component**  

The HMC468LP3E is a high-performance, gallium arsenide (GaAs) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) designed for radio frequency (RF) applications. This component operates as a medium-power amplifier, delivering excellent gain and linearity across a broad frequency range, typically from 6 GHz to 18 GHz. Its compact leadless package makes it suitable for space-constrained designs while ensuring reliable performance in demanding environments.  

Engineered for precision, the HMC468LP3E provides a consistent output power level with low noise characteristics, making it ideal for use in communication systems, radar, and test equipment. The device features a single positive supply voltage, simplifying integration into various circuit designs. Additionally, its robust construction ensures stability under varying operating conditions, including temperature fluctuations.  

With its combination of high efficiency and wide bandwidth, the HMC468LP3E is a versatile solution for applications requiring reliable RF signal amplification. Its performance characteristics make it a preferred choice for engineers working on microwave and millimeter-wave systems where signal integrity and power efficiency are critical.  

This component exemplifies modern RF design, offering a balance of power, gain, and compact form factor to meet the needs of advanced wireless and defense applications.

1 dB LSB GaAs MMIC 3-BIT DIGITAL POSITIVE CONTROL ATTENUATOR, DC - 6 GHz The HMC468LP3E is a GaAs MMIC PHEMT Distributed Power Amplifier manufactured by HITTITE (now part of Analog Devices). Here are its key specifications:

- **Frequency Range**: DC to 20 GHz  
- **Gain**: 10 dB typical  
- **Output Power (P1dB)**: 18 dBm typical  
- **Output IP3**: 28 dBm typical  
- **Supply Voltage**: +5V  
- **Current Consumption**: 80 mA typical  
- **Package**: 3x3 mm QFN (Leadless)  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  

It is designed for broadband applications such as test equipment, military, and telecommunications.  

(Source: HITTITE datasheet)