Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The part **HMBTA13** is a **PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)** with the following manufacturer specifications:  

- **Manufacturer:** NXP Semiconductors  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 250 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

These specifications are based on the datasheet provided by NXP Semiconductors.

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The part **HMBTA13** is manufactured by **HI-SINCERITY**. Below are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 500mA  
- **Power Dissipation (PD)**: 300mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100–400 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the confirmed specifications for the **HMBTA13** transistor from **HI-SINCERITY**.