Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT8550 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 60 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V  
- **Collector Current (I_C)**: 1 A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = 150 mA, V_CE = 1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150 MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT8550 is a high-frequency, low-noise NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by 华昕 (Huaxin). Key specifications include:  

- **Type**: NPN BJT  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 12V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 12V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 3V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 225mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 8GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 2GHz)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–120  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT8550 is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by 崋昕 (Huaxin). Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN BJT  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40-320  
- **Transition Frequency (f_T)**: 20MHz  
- **Package**: TO-220  

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.

Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR