Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(for general purpose applications requiring high Breakdown Voltages ) The HMBT5551 is a transistor manufactured by 华昕 (Huaxin).  

Key specifications:  
- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 160V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 600mA  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 30 to 150  
- **Power Dissipation (P_D)**: 350mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  

Applications include switching and amplification in electronic circuits.  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(for general purpose applications requiring high Breakdown Voltages )

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(for general purpose applications requiring high Breakdown Voltages ) The HMBT5551 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **XX**. Below are its key specifications:  

- **Type:** NPN Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 180V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Package:** TO-92  

These specifications are based on standard operating conditions. For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet from XX.

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(for general purpose applications requiring high Breakdown Voltages )