Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT5086 is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by HUAXI. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN BJT  
- **Package**: TO-3P  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 150V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 150V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 15A  
- **Power Dissipation (P_C)**: 150W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40-200  
- **Transition Frequency (f_T)**: 20MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on standard testing conditions. For detailed performance curves and application notes, refer to the official HUAXI datasheet.