Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) commonly used for amplification and switching applications. Below are its key specifications:  

- **Transistor Type**: PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: -200mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100-300 (typical)  
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The HMBT3906 is often used in complementary pairs with the NPN HMBT3904 transistor. It is available in various packages, including SOT-23 and TO-92.  

Let me know if you need further details.

Sincerity Mocroelectronics - PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by 华昕 (Huaxin). Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: Typically 100-300  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.