Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT3904 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Below are its key specifications:  

- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (typically measured at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (common surface-mount package)  

These specifications are standard for the HMBT3904 and may vary slightly depending on the manufacturer.

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT3904 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by 华昕 (Huaxin). Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN BJT  
2. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
4. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
5. **Continuous Collector Current (I_C)**: 200mA  
6. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
7. **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz  
9. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
10. **Package**: SOT-23  

The HMBT3904 is commonly used in amplification and switching applications.  

(Note: Specifications may vary slightly depending on datasheet revisions.)

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR