Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT1815 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by 华昕 (Huaxin). Key specifications include:  

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -1.5A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT1815 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by HI-SINCERITY. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP BJT  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -150mA  
- **Power Dissipation (PD)**: 300mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (measured at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.