4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The HM62V8512CLTT-7 is a 512K x 8-bit high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi (now part of Renesas Electronics). Here are its key specifications:  

- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Technology**: High-speed CMOS  
- **Supply Voltage**: 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time**: 70 ns (max)  
- **Operating Current**: 40 mA (typical)  
- **Standby Current**: 10 µA (typical, with CMOS level inputs)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Interface**: 3.3V TTL-compatible  
- **Data Retention**: Supported with reduced voltage (2V min)  

This SRAM is commonly used in applications requiring low-power, high-speed memory, such as embedded systems and networking devices.

4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The HM62V8512CLTT-7 is a 1M x 8-bit (8,388,608-bit) high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi. Here are its key specifications:

- **Organization**: 1,048,576 words × 8 bits  
- **Operating Voltage**: 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time**: 10 ns (max)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Standby Current**: 1 mA (typical)  
- **Operating Current**: 80 mA (typical at 10 ns access time)  
- **I/O Interface**: 3.3V TTL-compatible  
- **Data Retention Voltage**: 2.0V (min)  
- **Pin Configuration**: Compatible with other 1M × 8 SRAMs  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.