4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The part **HM62V8512BLTT-7** is manufactured by **HIT (Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.)**.  

### Specifications:  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 8Mbit (1M x 8)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 8 bits  
- **Voltage**: 5V ±10%  
- **Access Time**: 70ns (max)  
- **Package**: 28-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Refresh Cycles**: 4,096 cycles every 64ms  
- **Interface**: Asynchronous  

This DRAM is designed for applications requiring moderate-speed memory with a standard 5V supply.

4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The part **HM62V8512BLTT-7** is a **512K x 8-bit (4M-bit) CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Hitachi**.  

### Key Specifications:  
- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Technology**: CMOS  
- **Access Time**: 70 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Pin Configuration**: Compatible with other high-speed SRAMs  
- **Power Consumption**:  
  - **Active Current**: 80 mA (max)  
  - **Standby Current**: 10 mA (max)  

### Features:  
- **Low Power Consumption** in standby mode  
- **Fully Static Operation** (no refresh required)  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  
- **Single 5V Power Supply**  
- **Tri-State Outputs**  

This SRAM is commonly used in applications requiring fast, low-power memory, such as embedded systems, networking equipment, and industrial electronics.  

(Source: Hitachi datasheet for HM62V8512BLTT-7)