4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The HM62V8512BLFP-7 is a 512K x 8-bit (4M-bit) high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi (now Renesas Electronics).  

### Key Specifications:  
- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Technology**: High-speed CMOS  
- **Operating Voltage**: 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time**: 7 ns (max)  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 mA (typical)  
- **Package**: 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **I/O Interface**: 3.3V TTL-compatible  
- **Features**:  
  - Single 3.3V power supply  
  - Fully static operation (no clock or refresh required)  
  - Three-state outputs  
  - Byte-wide data bus  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The part **HM62V8512BLFP-7** is a **1M x 8-bit (8M-bit) CMOS pseudo-static RAM** manufactured by **Hitachi**.  

### Key Specifications:  
- **Organization**: 1,048,576 words × 8 bits  
- **Access Time**: 70 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Package**: 32-pin plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Standby Current**: 10 µA (max)  
- **I/O Interface**: TTL-compatible  
- **Refresh Cycle**: 512 cycles every 8 ms (hidden refresh capability)  

This is a **pseudo-static RAM (PSRAM)**, meaning it combines features of both static and dynamic RAM, requiring periodic refresh cycles but with simplified control compared to traditional DRAM.  

For further details, refer to the official Hitachi datasheet.