4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The part **HM628512BLFP-7** is a **512Kbit (64K x 8-bit) CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **Hitachi**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 64K words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Package:** 28-pin Plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active: 60mA (max)  
  - Standby: 10μA (max)  
- **Tri-State Outputs**  
- **Fully Static Operation** (no clock or refresh required)  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  

This SRAM is designed for high-speed, low-power applications in embedded systems and other digital circuits.

4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The HM628512BLFP-7 is a 512K-word × 8-bit high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi. Key specifications include:  

- **Organization**: 512K × 8 bits  
- **Supply Voltage**: 5V ±10%  
- **Access Time**: 70ns  
- **Operating Current**: 70mA (max)  
- **Standby Current**: 10μA (max)  
- **Package**: 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Tri-State Outputs**: Yes  
- **Data Retention Voltage**: 2V (min)  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The HM628512BLFP-7 is a 512K-bit (64K x 8) high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi (now Renesas Electronics).  

**Key Specifications:**  
- **Organization:** 64K x 8 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Current:** 40 mA (typical)  
- **Standby Current:** 1 µA (typical, CMOS level)  
- **Package:** 28-pin Plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Tri-State Outputs:** Yes  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

4 M SRAM (512-kword x 8-bit) The HM628512BLFP-7 is a 512K-bit (64K x 8) high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi. Key specifications include:  

- **Organization**: 64K words × 8 bits  
- **Access Time**: 70 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Operating Current**: 40 mA (max)  
- **Standby Current**: 10 µA (max)  
- **Package**: 28-pin plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Tri-State Outputs**: Yes  
- **Data Retention Voltage**: 2V (min)  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.