8192-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM **Introduction to the HM6264AP-12 SRAM IC**  

The HM6264AP-12 is a high-performance 8K × 8-bit static random-access memory (SRAM) integrated circuit designed for applications requiring fast and reliable data storage. Manufactured with CMOS technology, this component offers low power consumption while maintaining high-speed operation, making it suitable for embedded systems, industrial controls, and legacy computing applications.  

Featuring a 120ns access time, the HM6264AP-12 ensures efficient data retrieval, supporting systems where rapid memory access is critical. Its 28-pin DIP (Dual In-line Package) configuration allows for straightforward integration into a wide range of circuit designs. The device operates on a single 5V power supply, simplifying power management in electronic systems.  

With a standby current of just a few microamps, the HM6264AP-12 is optimized for power-sensitive applications. Its non-volatile nature ensures data retention as long as power is maintained, making it a dependable choice for temporary storage solutions.  

Engineers and designers often select the HM6264AP-12 for its balance of speed, power efficiency, and compatibility with older systems. While newer memory technologies have emerged, this SRAM remains a practical choice for maintaining or upgrading legacy hardware where reliability and simplicity are key considerations.

8192-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM The HM6264AP-12 is a 64K (8K x 8-bit) high-speed CMOS static RAM manufactured by Hitachi. Here are its key specifications:

- **Organization**: 8K words × 8 bits  
- **Access Time**: 120 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Power Consumption**:  
  - Active: 100 mW (max)  
  - Standby: 10 mW (max)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Technology**: High-speed CMOS  
- **I/O Compatibility**: TTL-compatible inputs and outputs  
- **Data Retention Voltage**: 2V (min)  
- **Refresh**: Not required (static RAM)  

These specifications are based on Hitachi's datasheet for the HM6264AP-12.

8192-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM The HM6264AP-12 is a 64K (8K x 8-bit) high-speed static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi (now part of Renesas Electronics).  

### Key Specifications:  
- **Organization**: 8K x 8-bit  
- **Access Time**: 120 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Power Consumption**:  
  - Active: 220 mW (typical)  
  - Standby: 22 mW (typical)  
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Technology**: CMOS  
- **Tri-State Outputs**: Yes  
- **Data Retention Voltage**: 2V (min)  

This SRAM is commonly used in older computer systems, industrial controls, and embedded applications requiring low-power, high-speed memory.  

(Source: Hitachi Semiconductor Datasheet for HM6264AP-12)

8192-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM The HM6264AP-12 is a 64K (8K x 8-bit) static RAM (SRAM) manufactured by Hitachi. Here are its key specifications:

- **Organization**: 8K x 8-bit  
- **Access Time**: 120 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Power Consumption**:  
  - Active: 200 mW (max)  
  - Standby: 20 mW (max)  
- **Pin Configuration**: Compatible with JEDEC standard 28-pin SRAM pinout  
- **Data Retention**: Guaranteed at 2V minimum  
- **Technology**: CMOS  

This SRAM is designed for general-purpose memory applications requiring moderate speed and low power consumption.