### Key Specifications:  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 64Mb (4M x 16)  
- **Speed**: 15ns access time  
- **Voltage**: 3.3V  
- **Package**: 44-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Organization**: 4 Meg x 16-bit  
- **Technology**: Synchronous DRAM (SDRAM)  

This part is commonly used in memory modules and embedded systems requiring low-power, high-speed memory.  

(Note: Verify datasheets for precise technical details as specifications may vary slightly.)

The **HM624100HLJP-15** is a high-performance **1Mbit (128K × 8) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast access times and low power consumption. Operating at a **15ns access time**, this component is well-suited for embedded systems, networking equipment, and industrial control systems where reliable, high-speed data storage is essential.  

Built using advanced **CMOS technology**, the HM624100HLJP-15 offers **low standby current**, making it ideal for battery-powered or energy-efficient devices. It features a **single 5V power supply** and a **fully static operation**, eliminating the need for refresh cycles. The **asynchronous SRAM** design ensures straightforward interfacing with microprocessors and other digital logic circuits.  

The component is housed in a **32-pin plastic SOP (Small Outline Package)**, providing a compact footprint for space-constrained designs. Its **wide operating temperature range** ensures stability in harsh environments, making it a dependable choice for automotive, telecommunications, and industrial applications.  

With its **high-speed performance, low power consumption, and robust design**, the HM624100HLJP-15 is a reliable solution for systems requiring fast and efficient volatile memory storage.