1 M VRAM (128-kword x 8-bit) The part HM538123BJ-7 is a 128Mbit (16M x 8) CMOS SDRAM. Here are its key specifications:

- **Density**: 128Mbit (16,777,216 words × 8 bits)
- **Organization**: 16M words × 8 bits
- **Voltage**: 3.3V ± 0.3V
- **Package**: 54-pin TSOP-II
- **Refresh Cycles**: 4096 refresh cycles / 64ms
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Speed Grades**: Available in different speed grades (e.g., -7, -75, -8, etc.)
- **CAS Latency**: Supports programmable CAS latency (2 or 3)
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page
- **Interface**: LVTTL-compatible inputs and outputs

This information is based on standard specifications for similar SDRAM parts. For exact details, refer to the manufacturer's datasheet.

1 M VRAM (128-kword x 8-bit) The part HM538123BJ-7 is manufactured by HIT (Hyundai Electronics Industries). It is a 128Mb (16M x 8-bit) synchronous DRAM (SDRAM) with the following key specifications:  

- **Organization**: 16M words × 8 bits  
- **Voltage Supply**: 3.3V (±0.3V)  
- **Speed**: 7ns (143MHz)  
- **Package**: 54-pin TSOP II  
- **Refresh Cycles**: 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

This SDRAM is commonly used in memory modules and embedded systems requiring high-speed data access.  

(Source: HIT datasheet for HM538123BJ-7)

1 M VRAM (128-kword x 8-bit) The part **HM538123BJ-7** is a **128Mbit (16M x 8-bit) CMOS DRAM** manufactured by **Hitachi**.  

### Key Specifications:  
- **Organization**: 16M words × 8 bits  
- **Supply Voltage**: 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time**: 7ns (CL=3)  
- **Package**: 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh**: 8K refresh cycles every 64ms  
- **Interface**: Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  

This part is compliant with **PC100** specifications.  

Would you like additional details on pin configuration or timing parameters?