256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank /16-Mword × 4-bit × 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM **Introduction to the HM5225165BTT-A6 Electronic Component**  

The HM5225165BTT-A6 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module designed for applications requiring fast data access and efficient power consumption. This component features a 256Mb (16Mx16) organization, operating at a voltage range of 3.3V, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial electronics.  

With a double-data-rate (DDR) architecture, the HM5225165BTT-A6 supports high-speed data transfers, ensuring reliable performance in demanding environments. Its low-power design enhances energy efficiency, while its compact form factor allows for seamless integration into space-constrained designs.  

Key features include programmable burst lengths, auto-refresh capabilities, and a CAS latency of 2.5, optimizing both speed and stability. The component is built to meet industry standards, ensuring compatibility with a wide range of microprocessors and controllers.  

Engineers and designers favor the HM5225165BTT-A6 for its balance of performance, power efficiency, and durability, making it a versatile choice for modern electronic applications. Whether used in telecommunications, automotive systems, or consumer electronics, this SDRAM module delivers consistent and dependable operation.

256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank /16-Mword × 4-bit × 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM The part **HM5225165BTT-A6** is manufactured by **HITACHI**.  

### Specifications:  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 256Mbit  
- **Organization**: 16M words × 16 bits  
- **Voltage**: 2.5V  
- **Package**: TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Speed**: -A6 (specific speed grade, exact timing details may vary)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

For exact datasheet details, refer to HITACHI's official documentation.

256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank /16-Mword × 4-bit × 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM **Introduction to HM5225165BTT-A6**  

The **HM5225165BTT-A6** is a high-performance **256Mb (16M x 16-bit) SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)** component designed for applications requiring fast data access and efficient memory management. Operating at a **3.3V supply voltage**, this SDRAM is optimized for use in embedded systems, networking equipment, and industrial electronics where reliable, high-speed memory is essential.  

Featuring a **synchronous interface**, the HM5225165BTT-A6 allows for precise timing control, enabling seamless integration with processors and controllers. Its **burst mode capability** enhances data transfer rates, making it suitable for real-time processing tasks. The component supports **auto-refresh and self-refresh modes**, ensuring data integrity while minimizing power consumption in low-activity states.  

With a **compact TSOP-II package**, the HM5225165BTT-A6 offers space-efficient solutions for PCB designs. Its **industrial-grade temperature tolerance** ensures stable performance in demanding environments.  

Engineers and designers favor this SDRAM for its balance of speed, power efficiency, and reliability, making it a practical choice for memory-intensive applications. Whether used in telecommunications, automation, or consumer electronics, the HM5225165BTT-A6 delivers consistent performance under varying operational conditions.