16M LVTTL INTERFACE SDRAM (512-kword x 16-bit x 2-bank) The part HM5216165TT-10H is manufactured by HITACHI. It is a 512Mb (32Mx16) DDR SDRAM module with a 1.8V operating voltage. The module operates at a speed grade of -10H, which corresponds to a clock frequency of 100MHz (DDR200). It features a 66-ball FBGA package and is compliant with the JEDEC standard for DDR SDRAM. The part is designed for use in various computing and electronic applications requiring high-speed memory.  

Key specifications:  
- **Capacity**: 512Mb (32Mx16)  
- **Type**: DDR SDRAM  
- **Voltage**: 1.8V  
- **Speed**: -10H (DDR200, 100MHz clock)  
- **Package**: 66-ball FBGA  
- **Organization**: 32M words × 16 bits  
- **Interface**: Double Data Rate (DDR)  
- **Compliance**: JEDEC standard  

No additional suggestions or guidance are provided.

16M LVTTL INTERFACE SDRAM (512-kword x 16-bit x 2-bank) **Introduction to HM5216165TT-10H**  

The HM5216165TT-10H is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module designed for applications requiring fast data access and reliable performance. This component features a 16M x 16-bit organization, offering a total capacity of 256 megabits (32 megabytes), making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial computing solutions.  

Operating at a voltage of 3.3V, the HM5216165TT-10H supports a clock frequency of up to 166 MHz, ensuring efficient data transfer rates for demanding tasks. Its synchronous interface allows for precise timing control, while its low-power design enhances energy efficiency in continuous operation. The module is built with a -10H speed grade, indicating optimized performance for high-speed applications.  

With a compact TSOP-II package, this SDRAM is ideal for space-constrained designs. It also incorporates advanced features such as auto-refresh and burst mode, improving overall system responsiveness. The HM5216165TT-10H is engineered to meet industry standards, ensuring compatibility and reliability in diverse electronic environments.  

This memory solution is well-suited for developers seeking a balance of speed, capacity, and power efficiency in their hardware designs. Its robust architecture makes it a dependable choice for modern computing and communication systems.