524,288-word X 8-bit Dynamic Random Access Memory **Introduction to the HM514800CLJ-8 Electronic Component**  

The HM514800CLJ-8 is a high-performance dynamic random-access memory (DRAM) module designed for applications requiring fast data access and reliable performance. This component is built with advanced semiconductor technology, offering a balance of speed, power efficiency, and storage capacity.  

With a well-optimized architecture, the HM514800CLJ-8 is suitable for use in computing systems, embedded applications, and other electronic devices where efficient memory management is critical. Its design ensures stable operation under varying workloads, making it a dependable choice for both industrial and consumer electronics.  

Key features of this DRAM module include low latency, high bandwidth, and compatibility with standard memory interfaces. These characteristics make it an ideal solution for systems that demand quick data processing without excessive power consumption. Additionally, its robust construction ensures durability in demanding environments.  

Engineers and designers often select the HM514800CLJ-8 for its ability to enhance system performance while maintaining cost-effectiveness. Whether integrated into servers, networking equipment, or high-performance computing devices, this component provides a reliable foundation for memory-intensive operations.  

In summary, the HM514800CLJ-8 is a versatile and efficient DRAM solution, well-suited for modern electronic applications requiring high-speed data handling and dependable functionality.

524,288-word X 8-bit Dynamic Random Access Memory The **HM514800CLJ-8** is a high-performance **DRAM (Dynamic Random-Access Memory)** component designed for applications requiring fast data access and reliable memory performance. This **8M-word × 8-bit** memory module operates at a **70ns access time**, making it suitable for embedded systems, industrial controls, and telecommunications equipment where speed and efficiency are critical.  

Built with advanced semiconductor technology, the HM514800CLJ-8 ensures stable operation across a wide voltage range while maintaining low power consumption. Its **CMOS-based architecture** enhances durability and reduces signal interference, ensuring consistent performance in demanding environments.  

Key features include a **single +5V power supply**, compatibility with standard DRAM interfaces, and a compact **300-mil SOJ (Small Outline J-Lead) package**, which facilitates integration into space-constrained designs. The component supports **fast page mode operation**, improving data throughput for high-speed processing tasks.  

Engineers and system designers often select the HM514800CLJ-8 for legacy systems or applications requiring dependable, low-latency memory solutions. Its robust design and industry-standard specifications make it a practical choice for upgrading or maintaining older electronic systems without compromising performance.  

For detailed technical specifications, refer to the official datasheet to ensure proper implementation within your circuit design.

524,288-word X 8-bit Dynamic Random Access Memory The part **HM514800CLJ-8** is manufactured by **HIT (Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.)**.  

### Specifications:  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 4M x 8 (4 Megabit x 8)  
- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Speed**: 80ns (nanoseconds) access time  
- **Voltage**: 5V operating voltage  
- **Package**: 600mil SOJ (Small Outline J-lead)  
- **Technology**: CMOS  

This part is an older-generation DRAM chip used in computing and electronic systems.