262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory The **HM514260CJ-8** is a high-performance dynamic random-access memory (DRAM) component designed for applications requiring fast data access and reliable storage. This 4M × 16-bit CMOS DRAM operates at a speed of 70 ns, making it suitable for systems where rapid data processing is essential.  

Built with advanced semiconductor technology, the HM514260CJ-8 offers efficient power consumption while maintaining robust performance. Its 16-bit organization allows seamless integration into various computing and embedded systems, supporting high-speed data transfers. The component is housed in a compact **400-mil SOJ (Small Outline J-Lead)** package, ensuring compatibility with space-constrained designs.  

Key features include a **5V operating voltage**, industry-standard pin configurations, and compatibility with a wide range of industrial and consumer electronics. The HM514260CJ-8 is commonly used in networking equipment, telecommunications devices, and legacy computing systems where dependable memory performance is critical.  

Engineers and designers value this DRAM for its balance of speed, power efficiency, and reliability. While newer memory technologies have emerged, the HM514260CJ-8 remains a viable choice for applications requiring stable, high-capacity memory solutions without excessive power demands. Its specifications and performance characteristics make it a dependable component in various electronic systems.