### Key Specifications:  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 4M words × 16 bits (64Mbit)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 16 bits  
- **Voltage**: 5V ± 10%  
- **Access Time**: 70ns (max)  
- **Package**: 40-pin SOJ (Small Outline J-lead)  
- **Operating Temperature**: 0°C to 70°C  
- **Refresh Cycles**: 4,096 cycles every 64ms  

This part is commonly used in older computer systems and industrial applications requiring 5V DRAM modules.

The HM514260AZ-7 is a high-performance dynamic random-access memory (DRAM) component designed for applications requiring fast data access and reliable performance. This integrated circuit (IC) is commonly used in computing systems, networking equipment, and embedded devices where efficient memory management is critical.  

With a well-balanced combination of speed and power efficiency, the HM514260AZ-7 supports high-speed data transfer rates, making it suitable for real-time processing tasks. Its architecture ensures stable operation under varying workloads, contributing to system responsiveness and longevity.  

Engineered with industry-standard specifications, this DRAM module adheres to stringent quality and compatibility requirements, ensuring seamless integration into existing designs. Its compact form factor and low power consumption make it an ideal choice for space-constrained or energy-sensitive applications.  

The HM514260AZ-7 is a dependable solution for developers seeking a robust memory component that meets the demands of modern electronic systems. Whether deployed in industrial automation, telecommunications, or consumer electronics, it delivers consistent performance while maintaining data integrity.  

For detailed technical specifications, designers should refer to the official datasheet to ensure proper implementation within their projects.