262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM The part **HM51258P-8** is manufactured by **HIT (Hitachi)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Organization**: 32K x 8 bits (256Kbit)  
- **Speed**: 80ns access time  
- **Voltage**: 5V operation  
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C)  

This SRAM is designed for high-speed, low-power applications and is commonly used in embedded systems and industrial electronics.  

(Source: Manufacturer datasheet for HM51258P-8.)

262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM

262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM The part HM51258P-8 is manufactured by HITACHI. It is a 262,144-word by 8-bit high-speed static RAM (SRAM) with a typical access time of 25 ns. The device operates on a single 5V power supply and is designed for high-performance applications. It features a fully static operation, meaning no clocks or refresh are required. The HM51258P-8 is packaged in a 28-pin plastic DIP (Dual In-line Package). It is compatible with TTL levels and offers tri-state outputs. The operating temperature range is typically 0°C to 70°C.

262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM

262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM The **HM51258P-8** is a high-performance **64K x 8-bit static random-access memory (SRAM)** integrated circuit designed for applications requiring fast, reliable data storage and retrieval. This CMOS-based SRAM operates at **5V** and features a **55ns access time**, making it suitable for embedded systems, industrial controls, and computing peripherals where speed and low power consumption are critical.  

With a **standby current** as low as **10µA**, the HM51258P-8 is optimized for power-sensitive applications while maintaining robust performance. Its **8-bit parallel interface** ensures seamless integration with microprocessors and microcontrollers, simplifying system design. The device also includes **asynchronous operation**, eliminating the need for complex clock synchronization.  

Housed in a **28-pin DIP (Dual Inline Package)**, the HM51258P-8 offers durability and ease of use in prototyping and production environments. Its **non-volatile data retention** ensures stability even during power fluctuations, making it a dependable choice for mission-critical systems.  

Engineers and designers favor this SRAM for its balance of **speed, power efficiency, and reliability**, making it a versatile solution across various industries, from telecommunications to automotive electronics. Its straightforward architecture and compatibility with legacy systems further enhance its appeal in both modern and retro applications.

262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM