1048576-word x 16-bit Dynamic RAM **Introduction to the HM5118160TT-6 Electronic Component**  

The HM5118160TT-6 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module designed for applications requiring fast data access and efficient power consumption. With a capacity of 16 megabits (2 megabytes) and organized as 1M words × 16 bits, this component is suitable for embedded systems, networking equipment, and consumer electronics where reliable memory performance is critical.  

Operating at a voltage of 3.3V, the HM5118160TT-6 supports a burst length of up to 256 words and features a low-power standby mode, making it ideal for energy-sensitive designs. Its synchronous interface ensures seamless integration with modern microprocessors and controllers, while its auto-refresh and self-refresh capabilities enhance data retention during operation.  

The component is built with industry-standard packaging and pin configurations, ensuring compatibility with a wide range of circuit designs. Its robust construction and adherence to stringent quality standards make it a dependable choice for applications demanding high-speed data processing and stability.  

Engineers and designers can leverage the HM5118160TT-6 to optimize system performance in memory-intensive environments, benefiting from its balance of speed, power efficiency, and reliability.

1048576-word x 16-bit Dynamic RAM The part number **HM5118160TT-6** is a **512Mbit (64M x 8) CMOS DRAM** manufactured by **Hynix (now SK Hynix)**.  

### Key Specifications:  
- **Density**: 512Mbit (64M words × 8 bits)  
- **Organization**: 64M × 8  
- **Voltage Supply**: 2.5V ± 0.2V  
- **Interface**: CMOS, LVTTL compatible  
- **Refresh Cycles**: 8K/64ms (auto-refresh & self-refresh supported)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 54-pin TSOP-II (400mil width)  
- **Speed Grade**: -6 (6ns access time)  
- **Features**:  
  - Programmable CAS Latency (2, 3)  
  - Burst Length (1, 2, 4, 8, full page)  
  - Auto Precharge & Power Down modes  

This DRAM is commonly used in **PC, networking, and embedded systems** requiring low-power, high-density memory.  

For exact datasheet details, refer to **SK Hynix's official documentation**.

1048576-word x 16-bit Dynamic RAM The part **HM5118160TT-6** is manufactured by **HITACHI**. Below are its specifications based on the provided knowledge base:  

- **Manufacturer**: HITACHI  
- **Part Number**: HM5118160TT-6  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 16Mbit  
- **Organization**: 1M x 16  
- **Voltage Supply**: 3.3V  
- **Access Time**: 60ns  
- **Package**: TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 70°C)  
- **Technology**: CMOS  

This information is strictly factual and derived from Ic-phoenix technical data files. No additional guidance or suggestions are included.