4,194,304 - WORD X 4-BIT DYNAMIC RAM **Introduction to the HM5116400S-7 Electronic Component**  

The HM5116400S-7 is a high-performance dynamic random-access memory (DRAM) chip designed for applications requiring fast data access and reliable storage. With a capacity of 16 megabits (2M x 8-bit), this component is well-suited for embedded systems, industrial automation, and telecommunications equipment where efficient memory management is critical.  

Operating at a speed grade of 70ns, the HM5116400S-7 ensures rapid read and write cycles, making it ideal for real-time processing tasks. Its low-power design enhances energy efficiency, which is particularly beneficial for battery-operated or power-sensitive devices. The component adheres to industry-standard pin configurations, ensuring compatibility with a wide range of system architectures.  

Built with robust manufacturing techniques, the HM5116400S-7 offers stable performance under varying environmental conditions, including extended temperature ranges. Its reliability and durability make it a preferred choice for mission-critical applications where consistent operation is essential.  

Engineers and designers can integrate this DRAM chip into their projects with confidence, knowing it meets stringent quality and performance benchmarks. Whether used in legacy systems or modern embedded solutions, the HM5116400S-7 delivers dependable memory functionality to support complex computing tasks.

4,194,304 - WORD X 4-BIT DYNAMIC RAM The part **HM5116400S-7** is a **1M x 16-bit (16Mb) CMOS DRAM** manufactured by **HIT (Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 70ns  
- **Package:** 42-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 cycles every 64ms  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **I/O Interface:** TTL-compatible  

This DRAM is designed for high-speed applications and is commonly used in computer memory systems.  

Would you like additional details?