21A/ 1200V/ NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes The HGTP5N120BND is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Type**: N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage Rating**: 1200V  
3. **Current Rating**: 5A (collector current, IC)  
4. **Package**: TO-220AB (through-hole)  
5. **Gate-Emitter Voltage (VGE)**: ±20V  
6. **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))**: 2.5V (typical at IC = 5A, VGE = 15V)  
7. **Power Dissipation (PD)**: 50W  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
9. **Switching Characteristics**:  
   - Turn-on Delay Time (td(on)): 45ns (typical)  
   - Turn-off Delay Time (td(off)): 300ns (typical)  

10. **Applications**: High-voltage switching, power supplies, motor control.  

For detailed datasheet information, refer to Fairchild Semiconductor's official documentation.

21A/ 1200V/ NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes The part HGTP5N120BND is manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation).  

**Specifications:**  
- **Part Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C):** 5A  
- **Package Type:** TO-220AB  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  
- **Switching Speed:** Fast switching  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from FSC.