600V, SMPS Series N-Channel IGBT The HGTP3N60A4 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V  
- **Current Rating (I_D)**: 3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 8.5nC (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the HGTP3N60A4.