40A/ 600V/ UFS Series N-Channel IGBTs The part HGTP20N60B3 is manufactured by Intersil. It is a Power MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 600V
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A
- **Power Dissipation (PD):** 300W
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)
- **Rise Time (tr):** 35ns (typical)
- **Fall Time (tf):** 25ns (typical)
- **Package Type:** TO-247

This information is based on the manufacturer's datasheet for the HGTP20N60B3.