600V/ SMPS Series N-Channel IGBTs The part HGTP20N60A4 is manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 40A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-247  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-on Delay Time (t_d(on)): 18ns (typical)  
  - Turn-off Delay Time (t_d(off)): 110ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This information is based on FSC's datasheet for the HGTP20N60A4.

600V/ SMPS Series N-Channel IGBTs The part HGTP20N60A4 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 600V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 20A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 80A
- **Power Dissipation (PD)**: 230W
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.19Ω (max) at VGS = 10V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 2100pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss)**: 300pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 30pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typ)
- **Package**: TO-247

These specifications are based on typical operating conditions at 25°C unless otherwise noted.

600V/ SMPS Series N-Channel IGBTs **Introduction to the HGTP20N60A4 Power MOSFET by Intersil**  

The HGTP20N60A4 is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Intersil to deliver efficient power management in demanding applications. With a voltage rating of 600V and a continuous drain current of 20A, this component is well-suited for high-voltage switching circuits, power supplies, and motor control systems.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the HGTP20N60A4 minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its robust design ensures reliable operation under high-stress conditions, making it ideal for industrial, automotive, and renewable energy applications.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent thermal performance and ease of integration into various circuit designs. Its high avalanche energy capability further enhances durability in transient voltage scenarios.  

Engineers seeking a dependable power switching solution will find the HGTP20N60A4 to be a versatile and efficient choice, balancing performance with ruggedness for long-term reliability.