10A/ 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes The part HGTP10N50C1D is manufactured by HARRIS. Below are its specifications:

1. **Type**: N-Channel Power MOSFET  
2. **Voltage Rating (V_DSS)**: 500V  
3. **Current Rating (I_D)**: 10A  
4. **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
7. **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
8. **Package**: TO-220  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to the official datasheet.