60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The part **HGTG30N60B3D** is manufactured by **FSC (Fairchild Semiconductor)**. Below are its key specifications:  

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C)**: 60A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 330W  
- **Package**: TO-247  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.1V (typical at I_C = 30A)  
- **Switching Speed**: Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This IGBT is designed for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies.