600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG20N60A4D is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

1. **Type**: N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage Rating**:  
   - Collector-Emitter Voltage (V_CES): 600V  
3. **Current Rating**:  
   - Collector Current (I_C): 40A (at 25°C)  
   - Collector Current (I_C): 20A (at 100°C)  
4. **Power Dissipation**:  
   - Maximum Power Dissipation (P_D): 200W  
5. **Switching Characteristics**:  
   - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 18ns  
   - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 290ns  
6. **Gate Characteristics**:  
   - Gate-Emitter Threshold Voltage (V_GE(th)): 4.5V (typical)  
   - Gate-Emitter Voltage (V_GE): ±20V (max)  
7. **Package**: TO-247  
8. **Applications**:  
   - Motor drives  
   - Power inverters  
   - Switching power supplies  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the HGTG20N60A4D.