45A/ 1200V/ UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG20N120C3D is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies.  

### Key Specifications:  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 40 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 20 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 330 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247-3  

This IGBT is designed for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and industrial power systems.  

For exact datasheet details, refer to Infineon's official documentation.