54A/ 1200V/ NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG18N120BND is a power semiconductor device manufactured by Intersil (now part of Renesas Electronics). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage Rating**: 1200V  
3. **Current Rating**: 18A  
4. **Package**: TO-247  
5. **Technology**: NPT (Non-Punch Through)  
6. **VCE(sat)**: Typically 2.1V at 18A  
7. **Switching Speed**: Designed for medium-frequency applications  
8. **Applications**: Power supplies, motor drives, inverters  

This information is based on Intersil's datasheet for the HGTG18N120BND. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.