27A/ 600V/ UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode The part **HGTG12N60B3D** is manufactured by **Infineon Technologies (ITS)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (V_CES):** 600V  
- **Current (I_C @25°C):** 24A  
- **Current (I_C @100°C):** 12A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  
- **Features:**  
  - Low saturation voltage  
  - High current capability  
  - Robust and reliable design  

This information is based on Infineon's datasheet for the **HGTG12N60B3D** IGBT.